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斎藤 一成; 吉川 正人; 大島 武; 伊藤 久義; 梨山 勇; 高橋 芳浩*; 大西 一功*
JAERI-Conf 97-003, p.243 - 248, 1997/03
傾斜エッチング法を用いて、Co-線照射前後の6H-SiC MOS構造の酸化膜中の電荷分布評価を行った。その結果、照射前の酸化膜中には、6H-SiC/SiO界面付近には、負電荷が存在しており、界面から40nm離れたところには正電荷が存在していることがわかった。また負電荷の一部は、時定数の大きな界面準位が、固定電荷として振る舞っているためであることもわかった。Co-線照射すると、照射中に印加している電圧の極性によりVmgの変化は異なり、これは、印加電圧の極性によって6H-SiC/SiO界面付近に捕獲される電荷が異なるためであることがわかり、ゲートに+10Vの電圧を印加すると界面には正電荷の蓄積が起こり、-10Vの電圧を印加すると界面には負電荷が蓄積されることがわかった。傾斜エッチング法は6H-SiC MOS構造の酸化膜中電荷分布評価に有効であることが確認された。
K.Humer*; H.W.Weber*; E.K.Tschegg*; 江草 茂則; R.C.Birtcher*; H.Gerstenberg*
Advances in Cryogenic Engineering Materials, Vol.40, p.1015 - 1024, 1994/00
補強材繊維(E-,S-,T-ガラス)、補強材クロスの織り方(2次元、3次元織り)、及びマトリックス樹脂(エポキシ、ポリイミド)の異なる6種類の高分子複合材料に対し、その機械的性質に及ぼす放射線損傷の影響を調べた。これらの高分子複合材料に2MeV電子線(最高1.810Gy)、Co-線(最高1.810Gy)、及び、高速中性子(最高510n/m、E0.1MeV)を照射したのち、77Kで引張り試験と層間せん断試験を行った。一部の試験片に対しては、5Kで中性子照射したのち室温まで昇温することなく77Kで機械試験を行った。その結果に基づいて、高分子複合材料の放射線劣化挙動に及ぼす放射線の種類の影響、照射温度の影響、及び、昇温サイクルの影響について比較・考察を行う。
江草 茂則
放射線化学, 0(55), p.13 - 22, 1993/00
核融合炉用超電導磁石中で使用される高分子複合材料の機械的性質に対する放射線照射効果に関して、著者のグループによる1983-1991年の研究成果をレビューする。このレビューでは、室温或いは5KでCo-線及び中性子を照射されたのち、77K、4.2K、及び室温で試験されたガラス繊維強化高分子複合材料の機械的性質について解説する。その実験結果に基づいて、複合材料の放射線劣化機構を提案するとともに、複合材料の種類、試験温度、放射線の種類、及び照射温度等の影響について考察する。
江草 茂則
Cryogenics, 31, p.7 - 15, 1991/01
被引用回数:6 パーセンタイル:48.95(Thermodynamics)マトリックス樹脂としてエポキシ及びポリイミドを用い、ガラス繊維補強材の種類や試験片の厚み等が異なる16種類の高分子複合材料を試作した。これらの複合材料を空気中又はアルゴン中でCo-線又は2MeV電子線を照射したのち、77Kで3点曲げ試験を行なった。その結果、マトリックス樹脂が同一の場合には、高分子複合材料の放射線劣化挙動は補強材の種類や試験片の厚みにはほとんど依存しないことが分かった。この結果は、高分子複合材料の劣化挙動はマトリックス樹脂の破壊歪の照射による劣化によって事実上支配されるという、既に我々が提案している劣化機構と一致している。また、放射線の種類(線、電子線)や照射雰囲気の差(空気中、アルゴン中)は、高分子複合材料の劣化挙動に本質的な差は生じないことも明らかになった。
江草 茂則; 瀬口 忠男; 萩原 幸; 中嶋 秀夫; 島本 進; M.A.Kirk*; R.C.Birtcher*
Radiation Effects on Polymers, p.591 - 608, 1991/00
核融合炉用超電導磁石中で使用される高分子複合材料の機械的性質に対する放射線照射効果に関して、著者らによる1983年以降の研究成果をレビューする。このレビューでは、室温或は5KでCo-線及び中性子照射されたのち、77K、4.2K、及び室温で試験されたガラス繊維強化高分子複合材料の機械的性質について紹介する。その実験結果に基づいて、複合材料の放射線劣化機構を提案するとともに、複合材料の種類、試験温度、放射線の種類、及び照射温度等の因子について考察する。
江草 茂則
Advances in Cryogenic Engineering, Vol.36, p.861 - 868, 1990/00
15種類の高分子複合材料に対して、室温又は5kでの放射線照射を、Co-線、2MeV電子線、又は中性子を用いて行なった。次に、その機械的性質を室温、77K、及び4.2Kで測定した。どの複合材料の場合でもその照射劣化は、破壊強度とせん断弾性率において大きく観測され、ヤング率の低下は小さい。その照射劣化の程度は、複合材料の種類、試験温度、及び放射線の種類に依存する。しかし、照射温度の影響はあまり大きくない。これらの複合材料に対する吸収線量依存性を純粋なマトリックス樹脂に対するそれと比較することにより、複合材料の照射劣化機構を議論する。複合材料の破壊歪とマトリックス樹脂の破壊歪との間に見出された相関から、複合材料強度の吸収線量依存性はマトリックス樹脂の破壊歪の照射による変化によって事実上支配されていることが示された。